顶点光电子商城2024年11月13日消息：近日，东芝推出了具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200V SiC MOSFET。

           这款新产品被命名为“X5M007E120”，是一款用于车载牵引逆变器的裸片1200V碳化硅（SiC）MOSFET。其创新的结构设计使得该产品能够实现低导通电阻和高可靠性，从而满足车载牵引逆变器对高性能和高可靠性的需求。

          X5M007E120典型值RDS(ON)在VGS=+18V、Ta=25°C时为7.2mΩ，在VGS=+18V、Ta=175°C时为12.1mΩ。这种低导通电阻特性有助于节省用于电机控制的逆变器的电能，例如牵引逆变器。

            通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构，提高了产品的可靠性。

嵌入的SBD采用格纹形态排列，相比常用的条形形态，能够更高效地抑制器件体二极管的双极通电。具有深势垒结构设计，可在短路状态下抑制MOSFET的过大电流和SBD的漏电流，从而保持针对反向传导工作的极高可靠性。

           该产品为未封装芯片产品，用户可根据其特定的设计需求定制裸片，实现面向其应用的解决方案。通过AEC-Q100认证，确保产品符合车载应用的质量标准。漏极—源极电压额定值VDSS为1200V，漏极电流（DC）额定值ID为（229）A（暂定值）。

           该产品主要适用于车载牵引逆变器，可将电池供电的DC电源转换为AC电源，并可控制电动汽车（EV）或混合动力电动车（HEV）的电机。

           东芝预计将在2025年提供X5M007E120的工程样品，并在2026年投入量产。同时，东芝将进一步探索器件特征的改进，以提供更高性能和更高可靠性的电源半导体产品。

            总之，东芝推出的这款1200V SiC MOSFET产品具有显著的低导通电阻和高可靠性特性，将广泛应用于车载牵引逆变器等领域，为电动汽车和混合动力电动车的电机控制提供高效、可靠的解决方案。