顶点光电子商城2024年11月13日消息：近日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）宣布其“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”在北京正式开工。这一项目的启动标志着天科合达在碳化硅材料领域迈出了重要的一步，旨在扩大其碳化硅晶体与晶片的产能，并推动碳化硅技术的进一步发展。

          碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，具有优异的电学和热学性能，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域有着广泛的应用前景。随着全球对高效能电子系统的需求不断增长，碳化硅材料的市场需求也在持续增加。因此，扩大碳化硅衬底的产能，提高生产效率，降低成本，对于推动碳化硅技术的广泛应用具有重要意义。

          天科合达作为国内领先的碳化硅材料供应商，积极响应国家战略需求，专注于第三代半导体材料的创新研发及量产工作。此次二期项目的开工，不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，还能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定坚实基础。

          该二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区，总占地面积52790.032平方米，总建筑面积105913.29平方米。项目包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等设施，用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片的产能，并建设研发中心以持续优化和完善生产工艺和参数。

           投产后，该项目将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。这将有助于天科合达进一步巩固其在碳化硅材料市场的领先地位，并满足国内外市场对高质量碳化硅衬底的需求。

          目前，全球碳化硅产业呈现美、欧、日三足鼎立的局面，受下游应用需求推动，碳化硅迈入加速发展期。8英寸碳化硅成为各方攻略的新堡垒，凭借成本等综合优势，市场对8英寸碳化硅的部署步伐不停。

          天科合达作为国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品供应商，其产品已畅销至日本及欧美在内的20多个国家和地区。此次二期项目的开工，将进一步提升公司的产能和竞争力，有助于公司在全球碳化硅市场中占据更大的份额。

           同时，天科合达也面临着来自国内外竞争对手的挑战。英飞凌、意法半导体、安森美等国际大厂持续布局碳化硅产能，稳固其市场地位；而国内企业如三安光电、天岳先进等也在积极扩大碳化硅衬底的产能。因此，天科合达需要不断创新和优化生产工艺，以提高产品质量和降低成本，从而在激烈的市场竞争中保持领先地位。

            随着北京二期项目的启动，天科合达将开启崭新的发展篇章。该项目不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，还能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本。未来，天科合达将继续专注于碳化硅材料的研发和生产，推动碳化硅技术的广泛应用和发展。

            同时，天科合达也将积极参与国内外碳化硅产业的合作与交流，加强与国际知名企业的合作与竞争，共同推动全球碳化硅产业的进步和发展。相信在不久的将来，天科合达将成为全球碳化硅材料领域的领军企业之一。