顶点光电子商城2025年4月24日消息：近日，英飞凌官微宣布推出CoolGaN™ G5中压晶体管。据悉，这是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。

        核心优势有：通过减少死区损耗，CoolGaN™ G5晶体管有效降低了功率损耗，提高了整体系统效率，尤其在硬开关应用中表现突出。集成肖特基二极管的设计消除了对外部二极管的需求，简化了电路设计，减少了元件数量和PCB面积。新型晶体管降低了反向传导损耗，能够与更多高边栅极驱动器兼容，且控制器兼容性更广，进一步简化了系统设计。适用于服务器和电信中间总线转换器（IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU）和电机驱动等工业应用场景。

         首款集成肖特基二极管的GaN晶体管采用3 x 5 mm PQFN封装，规格为100 V / 1.5 mΩ。在硬开关应用中，GaN器件的有效体二极管电压（VSD）较大，可能导致功率损耗增加。CoolGaN™ G5通过集成肖特基二极管，显著缓解了这一问题，尤其适用于控制器死区时间较长的情况。由于GaN晶体管缺乏体二极管，其反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。CoolGaN™ G5通过集成设计，降低了反向传导损耗，提升了系统性能。

        英飞凌此次推出的CoolGaN™ G5晶体管体现了公司在宽禁带半导体材料领域的持续创新，进一步推动了GaN技术在工业功率设计中的应用。随着GaN技术在功率设计中的广泛应用，客户对更高效率和更简化设计的需求不断增加。CoolGaN™ G5晶体管的推出正是为了满足这些需求，体现了英飞凌以客户为中心的创新理念。

       英飞凌中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌将继续致力于改进和提升这项技术，以满足客户不断变化的需求。CoolGaN™ G5晶体管的推出是英飞凌推动宽禁带半导体材料发展的重要一步。”

         此次发布的CoolGaN™ G5中压晶体管标志着英飞凌在氮化镓功率器件领域的又一重大突破，将为工业应用带来更高的效率和更简单的系统设计，助力推动绿色低碳和数字化转型。