在10月7日举办的论坛活动上，三星透露其将把3nmGAA制程推迟至明年上半年量产。
但这之前，在2021年上半年时三星早已官宣其3nmGAA工艺已成功试生产（试用成功将会大规模生产），在前不久，三星也正式宣布将批量生产3GAE和3GAP节点，这给三星带来令人难以想象的能效提升。
因为三星认为采用旧的设计所产生的成本会影响到所得到的收益，甚至收益会小于成本。所以三星采用了全新的GAA形式，也是三星带来令人惊叹的能效的原因。全新的GAA形式，是三星摒弃了以前使用的纳米线形式，而采用多层堆叠的纳米线进行替代。
据悉，三星这一新的工艺可以在保留原有优点的情况下，将生产的复杂难度降低。与此同时，MBCFET—— FinFET 的升级版，在保持他原有面积的优点上，提升了性能，不仅兼容了以往的技术，还实现了设计上的迁移。
并且，三星也提出其宣布的3nmGAA技术相较于其之前的7nmLPP将会提高35%的性能和节省50%的功能损耗，在提高性能的基础上更加持久。
根据先前对苹果的报道，苹果从台积电获得的最初的3nm芯片供应，但似乎生产这种光刻技术芯片也带来了不少技术层面上的问题，因此这使台积电不得不再投入到3nm的研究当中并推迟批产。
基于以上的原因，可能是三星也担心如果过早的批产这些节点可能会重蹈台积电的覆辙，但这一推延反而使得芯片短缺加剧。
不过，三星推迟批量生产将给三星更多的准备时间，这使三星能够建立起更加稳固的基础，并在实验当中探索出满意的答案，在这之后应该可以以更快的速度产出更多的晶圆，进而缓解芯片短缺的问题。
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