顶点光电子商城2025年3月24日消息：九峰山实验室近期在第三代半导体材料领域取得重大突破，国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）衬底技术，引发行业高度关注。这一成果不仅填补了技术空白，更有望推动5G/6G通信、卫星互联网、雷达探测等前沿领域的技术革新。

         实验室攻克氮极性氮化镓材料生长难题，在8英寸硅衬底上制备出高电子迁移率功能材料（N-polar GaNOI）。相较于传统镓极性氮化镓，氮极性结构在高频段（如毫米波）性能更优，可显著提升器件的功率密度和效率。

        该技术采用CMOS兼容工艺，可直接对接主流半导体产线，大幅降低了量产成本。键合界面良率超过99%，为大规模产业化扫清障碍。

         基于自研氮化镓器件，实验室构建了20米级微波无线传能系统，实现对无人机的动态供电。该技术突破传统无线充电的距离与效率瓶颈，为物流、工业4.0等领域提供新解决方案。

          此前仅有少数机构能小批量生产2-4英寸氮极性氮化镓衬底，且成本高昂。九峰山实验室的8英寸技术直接跨越尺寸限制，打破国际技术垄断。实验室已联合华工科技等企业推进国产化设备验证，加速技术落地。其PDK（工艺设计套件）平台支持全球芯片设计企业接入，有望吸引国际供应链合作。

         在化合物半导体领域，氮化镓被视为“新质生产力”的关键材料。九峰山实验室的突破与我国“十四五”规划中半导体自主可控目标高度契合，为高端芯片国产化提供材料基础。

           九峰山实验室的这项成果不仅是材料科学的里程碑，更是我国半导体产业从“跟跑”到“领跑”的缩影。随着技术逐步产业化，有望重塑高频通信、自动驾驶、能源传输等领域的竞争格局。未来，随着8英寸及以上大尺寸氮化镓材料的普及，一个由“中国创新”驱动的半导体新时代或将加速到来。