顶点光电子商城12月13日消息：近日，至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。

         这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。这是国内存储行业的跨越式突破，技术水平已赶超国际一流。

         该芯片可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。至讯创新数据显示，该产品实现了芯片面积缩小 40%，I / O 速度提升 25%，擦写周期提升 70%。

        在如今大数据时代，NAND闪存无疑是数据存储的奠基者。不管是手机、电脑、家电还是汽车、安防等行业，都少不了NAND闪存的身影，其重要性可见一斑。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。

         此次19nm芯片的成功研制是至讯创新破茧成蝶的第一步，未来至讯创新将持续加大研发投入，与更多合作伙伴展开更深度协作，保持每年两到三个先进工艺项目的开展，使更具有创新力、竞争力的产品陆续登陆市场。

        至讯创新科技（无锡）有限公司成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构，完备的营销及服务网络为客户提供快捷、优质的支持。旨在领导存储技术创新，成为全球存储行业的领军者。专注于中小容量存储芯片的研发，团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节，且具备完全自主可控的知识产权。在质量管理方面，公司有严格的标准与要求，已获得ISO 9001等国际质量体系认证，同时积极推进产业整合，与全球多家领先晶圆厂、封装厂达成战略合作伙伴关系。