顶点光电子商城2022年11月11日消息：近日，2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）在深圳盛大开启。作为国内领先的存储芯片设计企业，东芯半导体股份有限公司（以下简称“东芯半导体”）受邀参加本次展会，并携产品重磅亮相。

         会上，凭借卓越的技术创新实力及产品的高可靠性，东芯SPI NAND Flash产品（DS35X4GM-IB）一举斩获“2022全球国际电子成就奖之年度存储器”的奖项。

         DS35X4GM-IB，是东芯半导体2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，完全拥有自主知识产权，是国内第一颗2xnm的SPI NAND Flash产品，其领先的工艺制程以及较大的容量，填补了市场空缺，使其作为公司新的拳头产品，一推出就获得广泛关注。

        该4Gb SPI NAND Flash(DS35X4GM-IB)为单芯片的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，内部集成了ECC纠错模块，使其在满足数据传输效率的同时，节约了空间，简化了客户设计，提高了产品可靠性。该产品不但可运用在传统的网络通讯、消费电子等领域，更适合对容量有一定要求的高清视频监控、5G基站及服务器市场。

        随着汽车电子、人工智能、5G、物联网等新兴领域的快速发展，对中小容量存储芯片的需求随之高涨，为东芯半导体这样专注中小容量存储芯片的企业创造了前所未有的发展机遇。

        东芯半导体成立于2014年，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。其自主设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR均为国内目前领先的NAND、NOR工艺制程，实现了闪存芯片技术的突破。