三星在美国最新工厂的选址已经确定为德州泰勒市了。新厂投资170亿美元，开工建设的时间计划在2022年上半年，规划建成投产时间在2024年下半年。巧合的是，台积电在亚利桑那州的新厂，投产时间也在2024年。

三星的野心：打败台积电，当上晶圆代工老大

        三星想坐上晶圆代工厂老大的位置，已经是路人皆知的事情了。台积电当然不会坐以待毙。今年四月份，台积电宣布将在未来三年内，累积投资1000亿美元用于建厂扩产。随后不到一个月的时间，三星也同样宣布了投资计划：到2030年，三星将累积投资171万亿韩元（折合成美元约1450亿元），金额比台积电的投资计划多将近500亿美元。

        在10月份，三星在公布第三季度财报时表示，会继续新建工厂和扩产现有的产线，争取在2026年实现晶圆代工产能增加3倍。关于先进制程工艺的研发进度，三星表示会在2022年上半年量产第一代3nm工艺芯片，到2023年量产3nm工艺芯片的第二代产品。这个量产时间和台积电规划的3nm工艺量产时间非常相近。

        根据公开的信息，相比台积电3nm还将继续采用FinFET（鳍式场效电晶体）技术，三星表示，其3nm工艺晶圆代工业务将采用3nm GAA技术，将会为业绩表现提供显著的提升作用。

        一系列措施下来，三星无非就是要告诉全世界：在投入上，三星比台积电更愿意花钱；在技术上，台积电有的，三星也要有，而且还更加先进。

        在更加先进的2nm工艺方面，三星也是紧盯台积电。为了开发2nm工艺技术，三星将对第二代MBCFET（多桥通道场效应电晶体）技术进行研发。三星的规划是，在第一代3nm工艺正式量产后一年，导入MBCFET技术进行第二代3nm和2nm工艺的开发。

三星MBCFET技术

        在开发新技术的同时，三星还不忘对没有面世的技术打一波广告：相比7nm工艺，使用新技术的芯片，在保证相同性能的前提下，面积上将缩小45%，功耗将降低50%，效能则提升35%。不过，三星并没有透漏采用新技术的芯片，价格会上涨多少，以及实际量产的产能情况。

三星与台积电差距还很明显

        虽然三星一直都在追求在先进工艺上，比台积电更快实现量产。先不说在量产时间上，三星能够领先台积电，在量产规模上，三星一直都与台积电有着不小的差距。以2019年作为时间轴，在7nm工艺上，台积电的月产能为10.5万片，而三星却只有2万片。在更加先进的5nm工艺量产规模方面，三星与台积电同样差距巨大：台积电月产能为12万片，三星只有3.5万片。

        这也是为什么三星总是在先进工艺研发规划上比台积电更快，却从来不提量产规模的原因。就算三星能够在先进工艺量产上占得先机，也必须要在量产规模和争取更多订单方面下功夫。

        不过，有分析机构表示，三星的客户数量正在快速增长，从2017年的35家，到2021年有望突破100家。同时，该机构预测，到2026年，三星的客户数量将会突破300家。

        此次三星将新厂选址在德州，一是为了扩产，二是为了获取北美市场客户。韩国的证券分析师就表示，三星要想打败台积电称为世界第一，就必须从台积电手中抢下苹果的订单。韩国媒体也在为三星出谋划策，指出三星应尽快敲定美国设厂的计划，然后争取到苹果、高通、谷歌的订单，这样才能真正打败台积电。

        对于三星来说，好消息是在前不久已经获得了谷歌手机业务的订单。由于这类订单的竞争难度极大，因此，这对三星来说是开了一个好头，也增强了三星“称霸”全球的信心。

日本的贸易制裁，让韩国决心打造自己的半导体产业链

        要论2019年全球国际大事件，日韩半导体材料贸易争端绝对够资格入选。日本宣布对韩国进口的光刻胶、含氟聚酰亚胺和高纯度氟化氢实行出口管制。结果，韩国从企业、政府到民众都反应剧烈，可见日本对韩国这三种材料的出口管制可谓精准打击。

        为什么整个韩国的反应会这么大。因为光刻胶是芯片和集成电路制造的核心材料，在半导体基座上复刻电路离不开光刻胶。含氟聚酰亚胺是制造折叠屏的关键材料，高纯度氟化氢则主要用来蚀刻硅片。可见这三种材料对晶圆代工和智能手机折叠屏非常重要，而韩国对这些材料的供应链依赖非常深。

        日本之所以能够对韩国进行贸易制裁，是因为日本基本控制了氟聚酰亚胺和氟化氢的供应。光氟化氢的产量，日本就占据了全球市场的90%，全球半导体企业有70%的氟化氢都是从日本进口的。在光刻胶市场上，日本企业的全球市场占有率也超过了70%。从半导体芯片的材料供应上看，日本企业的综合市场占有率超过了50%，芯片生产所必须的19种材料，日本能供应其中的14种，且都处于行业领先地位。

        日本的精确制裁，除了让韩国感到愤怒，更让韩国意识到建立自己的半导体供应链的重要性。

        韩国政府计划，在之后的十年内，将累积投入4500亿美元，用于原材料、生产设备、零部件等半导体产业链的补齐。按照计划，到2030年，韩国将完善和构建全球规模最大的半导体产业供应链。

韩国开始布局第三代半导体材料

        随着新能源市场的热度不断增高，SiC、GaN作为第三代半导体材料，在功率器件中的应用越来越成熟。由于SiC材料具有高导热率、高导电率和高禁带宽度（高功率密度和高击穿电场）等物理特性，已经逐渐成为未来制作半导体芯片的基础材料。

        韩国在第三代半导体材料方面也是有想法的。今年5月，韩国启动GaN半导体集成电路的国产化课题。此前，韩国已正式宣布培养第三代半导体技术，并计划到2025年开发出5种以上的商业化产品。

        关于SiC市场，韩国现代旗下一个半导体子公司奥创，在去年5月联合现代汽车共同成立了一个研究室，用于研发SiC功率器件。值得一提的是，现代汽车最新的E-GMP纯电动汽车平台上已经采用了SiC技术。

        韩国半导体产业的发展定位，一直都是要求自己掌握知识产权，采取的都是先引进，再合作，然后进行技术内部消化，最后达到自主化的目的。