前不久，台积电公布了1.8nm的新进程，并说预期将会在2026年出片。这一消息在当时发出的时候引起行内热议，但大多数人都是采取观望态度，因为以目前的技术暂时没有办法让芯片的尺寸突破2nm。

       而近日，ASML宣布的新的EUV设备即将把突破2nm变成可能。

       根据ASML副总裁接受采访所放出来的消息看，ASML将于2023年推出一款全新的EUV，孔径（NA）将会达到0.55，在ASML看来，这个0.55NA的EUV设备将会让世界芯片的制程突破2nm。

       根据他们的看法，实际上3nm芯片的工艺是受到了晶体管密度所制约的，因为3nm与4nm所使用的孔径没有太大的不同，因此他们认为台积电即将推出的3nm芯片可能延期也是因为在性能上较于4nm没有太大的提高，在寻求突破上或许遇到了一些棘手的问题。

       以目前的技术，根据台积电和三星制造3nm芯片的工艺上看，他们都是使用目前ASML最先进的0.33NA再加上多重图形技术，但是多重图形技术不仅容易消耗大量EUV机器的能量，还会导致芯片成本上升，因此肯定不是一个长久之计。

       而0.55NA可以让半导体公司在生产3nm甚至更小尺寸的芯片时，不需要使用多重图形技术就可以进行生产。

       但按照ASML的意思来看，0.55NA与0.33NA需要同时进行使用，因为两台机器可以负责不同的步骤从而提高生产的速度，他们认为0.33NA也会参与到2nm及以下的芯片制造当中。

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