顶点光电子商城2025年2月18日消息：近日，英飞凌推出了首批采用200毫米晶圆制造的SiC（碳化硅）器件。

        在半导体制造领域，从较小的晶圆（如150毫米）过渡到更大的晶圆（如200毫米）面临着重重技术挑战。然而，这一过渡对于降低器件成本、提高生产效率具有重要意义。英飞凌科技股份公司作为全球领先的半导体供应商，在200毫米SiC技术研发方面取得了重要突破。公司计划并于2025年第一季度向客户交付首批基于200毫米SiC晶圆技术的产品。

        这批产品由英飞凌位于奥地利菲拉赫的生产基地制造。与此同时，英飞凌位于马来西亚居林的另一重要生产基地也在积极推动生产工艺的升级，从150毫米晶圆向200毫米晶圆过渡。新建的第三模块（Module 3）按计划推进，预计将在未来实现大规模量产，以满足市场对高性能半导体产品日益增长的需求。

          这批200毫米SiC器件旨在为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。随着电动汽车和清洁能源需求的快速增长，SiC半导体的市场前景被广泛看好。英飞凌的200毫米SiC产品不仅有助于满足客户对高性能产品的需求，还将推动整个产业链向更高效、更环保的方向发展。

         英飞凌一直致力于通过技术创新推动绿色能源的普及与应用。此次200毫米SiC产品的推出，是公司长期技术发展战略中的重要一步。作为功率半导体领域的全球领导者，英飞凌通过推出200毫米SiC产品，进一步巩固了其在整个功率半导体领域（包括硅、SiC和GaN）的技术领导地位。

         综上所述，英飞凌推出首批采用200毫米晶圆制造的SiC器件是其技术发展和市场拓展的重要里程碑。这一举措不仅有助于满足客户对高性能产品的需求，还将推动整个半导体产业链向更高效、更环保的方向发展。