顶点光电子商城2025年2月17日消息：近期，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品，这些创新产品将在英飞凌位于奥地利菲拉赫的工厂生产。

        这批8英寸SiC产品专为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供先进的SiC功率技术。英飞凌在SiC技术的商业化应用上迈出了关键步伐，这批产品有望大幅提升相关领域的能源效率和性能表现，特别是在电动汽车领域，英飞凌正不断拓展其合作网络，以满足日益增长的市场需求。

         英飞凌位于马来西亚居林的制造基地正顺利实现从150毫米晶圆到200毫米晶圆的转换。新建的Module 3厂房已准备就绪，将根据市场需求启动大规模生产。居林工厂初期将以6英寸晶圆生产为主，计划逐步过渡到2027年的8英寸晶圆生产。菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造项目完成后，英飞凌预计SiC业务的年营收有望达到约70亿欧元。

         英飞凌在SiC技术研发方面持续投入，推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，这是第二代（G2）CoolSiC™技术的升级版，具有超低的传导和开关损耗，为数据中心等领域的能源高效利用提供了有力支持。英飞凌已获得约50亿欧元的新设计订单以及来自现有和新客户的10亿欧元左右的预付款，用于厂房的持续扩建。

         英飞凌强调居林工厂与菲拉赫生产基地之间的协同发展，形成了一个专注于宽带隙（WBG）技术的“虚拟协同工厂”，共享技术和工艺，实现快速量产和平稳高效的运营。英飞凌设定了到2030年占据全球30% SiC市场份额的宏伟目标。

        综上所述，英飞凌首批8英寸SiC产品的问世标志着该公司在SiC技术的商业化应用上取得了重要突破，有望进一步提升相关领域的能源效率和性能表现。同时，英飞凌在生产布局、技术创新、订单情况以及未来展望等方面均展现出强劲的发展势头和广阔的市场前景。