顶点光电子商城2025年1月14日消息：近日，阿尔托大学的一支科研团队在红外传感技术领域取得了显著进展，成功研发出一种新型锗基红外传感器，其灵敏度相较于目前市场上主流的锗基传感器提升了35%。

        传统的红外光电二极管传感器大多采用铟镓砷（InGaAs）材料。然而，InGaAs材料不仅价格昂贵，还存在潜在的毒性和致癌风险，对人体健康和环境构成威胁。此外，由于InGaAs与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺不兼容，这增加了其在各种应用中的集成难度。为了解决这些问题，阿尔托大学的研究团队决定尝试使用锗材料作为替代，并通过创新的纳米结构设计，开发出新型锗基红外传感器。

         新型锗基红外传感器的灵敏度相较于现有的锗基传感器提升了35%，这一提升使得传感器在广泛波长范围内能够捕获更多的光子，从而提高了检测精度和响应速度。与InGaAs材料相比，锗材料无毒且环保，不会对人体健康和环境造成威胁。这一特点使得新型锗基红外传感器在应用中更加安全可靠。锗材料能够与CMOS工艺完美兼容，这使得新型传感器在各种电子设备中的集成和应用变得更加容易。

         实验结果显示，新型锗基红外传感器在广泛波长范围内能够捕获约90%的光子，其光谱响应率接近理想状态。与现有的商用InGaAs光电二极管相比，新型传感器在灵敏度方面展现出了明显的优势。

          结合新型传感器的红外技术，用户可以通过高灵敏度探测器实现精确的温度控制与环境监测，提高居住舒适度的同时也能有效节能。新型传感器在工业智能化领域也展现出巨大的应用潜力。通过实时监测环境变化，传感器能够及时传输数据，帮助企业实现智慧管理与决策。高灵敏度的检测设备能够实时监测环境变化，提高安防监控的准确性和及时性。此外，新型锗基红外传感器在医疗监测、环境监测等领域也具有广泛的应用前景。随着科技的不断发展，相信这种高效、环保的红外传感器将在更多领域发挥重要作用。

           新型锗基红外传感器的成功研发标志着红外传感领域的一次重大技术突破，为红外传感技术的发展开辟了新的道路。随着新型传感器的逐步推广和应用，将显著降低InGaAs传感器在生产及使用过程中对环境造成的负面影响，提高可持续发展的能力。新型传感器的问世将推动相关领域的创新和发展，为人们的生活带来更多便利和保障。