顶点光电子商城2024年12月24日消息：三星电子作为全球DRAM制造龙头大厂，一直在积极研发新技术以保持其市场领先地位。随着技术的不断进步和市场竞争的加剧，三星需要不断推出新一代产品以满足市场需求。因此，三星决定在平泽P2厂建设第七代DRAM试验线，以提高新一代产品的良率和竞争力。

        据韩国媒体Business Korea报道，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”（one path），预期2025年第一季度将完全建成。虽然具体的产能规模尚未确定，但根据过往经验，一般测试产线的产能大概在每月10000片晶圆左右。这条试验线将主要用于测试第七代DRAM的性能和量产潜质。

        三星在MemCon 2024活动中曾宣布，计划在2026年前量产第七代DRAM。而在此之前，三星还需要完成第六代DRAM的量产准备工作。据悉，三星计划于2025年开始量产1c DRAM（第六代），随后再于2026年开始量产1d DRAM（第七代）。

         通过建立第七代DRAM试验线，三星展示了其积极的发展战略和对新技术研发的重视。这有助于巩固三星在全球存储市场上的领先地位，并提高其与竞争对手的竞争优势。在高带宽存储器（HBM）等领域，三星面临着来自SK海力士等竞争对手的激烈竞争。通过建立新一代DRAM试验线并加速量产准备工作，三星旨在保持其技术领先地位并扩大市场份额。

         综上所述，三星在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线是其积极发展战略和市场竞争策略的重要组成部分。这将有助于提高新一代产品的良率和竞争力，进一步巩固三星在全球存储市场上的领先地位。