顶点光电子商城2024年12月18日消息：近日，长飞先进武汉基地项目举行首批设备搬入仪式，标志着长飞先进武汉基地即将迈入工艺验证新阶段，全面投产正式进入倒计时。本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，较原定设备搬入时间大幅提前。

           长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，到2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。

           该项目是武汉新城诞生的第一个项目，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目的成功实施将有力推动国内化合物半导体产业的发展，提升我国在第三代半导体功率器件领域的自主研发和生产能力。

           总之，长飞先进武汉基地SiC项目作为总投资超过200亿元的重大项目，在建设进展上取得了显著成果，首批设备的成功搬入标志着项目即将迈入工艺验证新阶段。未来，随着项目的持续推进和量产计划的实现，将为我国在第三代半导体功率器件领域的发展注入新的动力。