顶点光电子商城2024年12月5日消息：日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E。

        SiJK140E的导通电阻表现优异，与相同占位面积的竞品器件相比，其导通电阻降低了32%，同时比采用TO-263-7L封装的40V MOSFET的导通电阻低58%。在10V电压下的典型导通电阻低至0.34mΩ，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率。

         并且，其热性能也得到改善，其RthJC典型值为0.21°C/W，有助于降低器件在工作时的温度，提高稳定性。

          SiJK140E允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。

          该MOSFET采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。与采用打线键合（BW）封装的TO-263-7L解决方案相比，SiJK140E可提供高达795A的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的SOA功能。另外，SiJK140E采用PowerPAK 10x12封装，占位面积为120mm²，与TO-263-7L相比，可节省27%的PCB空间，同时厚度减小50%。

          SiJK140E非常适合用于同步整流、热插拔和OR-ing功能。其典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机等。

           该MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100%Rg和UIS测试，保证了产品的质量和可靠性。同时，为了避免产品出现共通问题，标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。

           SiJK140E现已实现量产，并提供样品供客户测试。其订货周期为36周，客户可根据需求进行订购。

           总之，Vishay推出的新款40V MOSFET——SiJK140E具有优异的导通电阻、良好的热性能、高可靠性、高电流能力以及节省空间等显著优势。同时，其广泛的应用范围和可靠的产品特性也使其成为市场上备受关注的电子元件之一。