顶点光电子商城2024年10月31日消息：三星作为全球最大的存储芯片制造商，一直在致力于提高存储芯片的容量和性能。随着人工智能（AI）的快速发展，对大容量、高性能存储设备的需求日益增加，三星计划通过推出400层V10 NAND闪存来满足这一市场需求。

           三星计划推出的400层V10 NAND闪存，堆叠层数远超当前市场上的主流产品，将大幅提升存储容量。在V10 NAND中，三星计划采用创新的键合技术，将存储单元和外围设备分别在不同的晶圆上制造，然后进行键合。这种方法将解决堆叠过程中对外围设备的损坏问题，并实现更高的位密度和出色的散热性能。据三星称，这种创新的BV NAND（键合垂直NAND闪存）可将单位面积的比特密度提高1.6倍，是AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择。

           三星计划将400层V10 NAND闪存用于AI服务器，以满足AI应用对大容量、高性能存储设备的需求。除了AI服务器外，这种高性能的NAND闪存还可用于智能手机、U盘等其他需要大容量存储的设备中。

          三星目前批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片，并计划在2026年推出400层V10 NAND闪存。三星计划在2027年推出V11 NAND，预计数据传输速度将提高50%。三星的目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以进一步提高密度和存储能力。

          目前存储行业已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，三星的主要竞争对手包括了SK海力士和铠侠等。其中SK海力士也在开发400层的NAND闪存，目标是在2025年年底做好大规模生产的准备。堆叠层数的增加会带来一系列技术挑战，如如何保证堆叠过程中的稳定性和可靠性、如何优化存储单元的性能等。三星需要不断投入研发资源，攻克这些技术难题。

            综上所述，三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存是一个具有前瞻性和挑战性的计划。通过采用创新的键合技术和不断优化存储单元的性能，三星有望在这一领域保持领先地位，并满足市场对大容量、高性能存储设备的需求。