顶点光电子商城2023年10月8日消息：近日，株洲市石峰区举行顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约仪式。

         顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目位于田心高科园，主要生产工业调频、充电桩、储能逆变、光伏/风力发电用IGBT模块等。该项目总投资7.5亿元，预计在今年年底启动建设，明年上半年正式投产，建成达产400万个IGBT模块及100万个SiC模块，预计年产值8亿元。

        IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和SiC（Silicon Carbide）功率半导体模块都是用于功率电子应用的关键元件，它们各自具有一些特定的特性和应用领域。

         IGBT（绝缘栅双极晶体管）功率半导体模块：特性：IGBT是一种晶体管，它结合了MOSFET和双极晶体管的特性。它具有高输入阻抗，可以通过控制电流来控制电压。IGBT模块通常操作电压较低，适用于低到中等功率范围。应用：IGBT模块常用于电机控制、逆变器、电动汽车驱动器、电磁感应加热等领域。其特点包括可靠性高、成本相对较低。

          SiC（碳化硅）功率半导体模块：  特性：碳化硅（SiC）是一种新型的半导体材料，相比传统的硅半导体具有更高的电子迁移速度和热导率，使得SiC器件能够在高温和高电压条件下工作。SiC功率模块具有更高的功率密度、更高的效率和更快的开关速度。应用：SiC功率模块广泛用于高性能电力电子应用，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、电力电子转换器等。它们能够减小体积、提高效率，适用于高频和高温环境。

          总之，IGBT和SiC功率半导体模块都在不同的应用中发挥着关键作用。