顶点光电子商城8月22日消息：近日，瞻芯电子第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。

           碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种基于碳化硅半导体材料制造的功率电子器件。与传统的硅（Si）功率MOSFET相比，碳化硅MOSFET具有更高的电子迁移率、更高的工作温度能力和更低的导通电阻，使其在高功率和高温应用中表现出色。

            瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。

             同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

             碳化硅MOSFET在多个领域中都有广泛应用，包括但不限于：电动汽车和混合动力汽车、可再生能源、工业驱动、电力传输和分配、高性能电源。SiC MOSFET应用于新能源汽车、光伏逆变，风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合，其市场前景广阔。预计到2027年，市场销售额将达到100亿美元，SiC功率器件是面向未来更环保，更节能的电能转换核心器件，在整个系统中处于关键部位。

             总之，碳化硅MOSFET产品在提高功率电子系统性能、提高效率和降低能耗方面具有巨大潜力，正在逐渐得到广泛应用。由于技术不断发展，碳化硅MOSFET产品的性能和应用领域可能会继续扩展。

            瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅功率半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。经过四年多的研发和市场积累，瞻芯电子产品已经先后进入工业级市场和汽车电子市场，并逐步放量出货，自主研发的SiC MOSFET累计量产出货逾40万颗。