顶点光电子商城2025年4月1日消息：今日，意法半导体（ST Microelectronics）与英诺赛科（02577.HK）正式宣布签署了一项氮化镓（GaN）技术开发与制造协议，旨在推动氮化镓功率技术的联合开发，并增强全球供应链布局。

           双方将共同推进氮化镓技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域的应用。通过联合开发下一代氮化镓功率技术，提升产品竞争力，并加速该技术的市场渗透。

           英诺赛科可借助意法半导体在中国以外的制造产能生产其氮化镓晶圆。意法半导体则可利用英诺赛科在中国的制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。这种供应链互补策略旨在增强双方的全球供应能力，提高市场响应速度。

          氮化镓功率器件因其高效、节能、轻量化等优势，在快充、数据中心、电动汽车、光伏逆变器等领域需求旺盛。英诺赛科近期业绩增长显著，2024年AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%，车规级芯片交付量增长近10倍。该合作将进一步巩固英诺赛科在全球氮化镓市场的领导地位，并助力意法半导体拓展功率半导体业务。

          英诺赛科股价在4月1日先跌后反弹，截至发稿时在42.4港元/股附近。该公司已于2025年3月10日被纳入港股通，增强了其融资能力和市场关注度。

            展望未来，双方计划在未来几年深化合作，推动氮化镓技术在AI算力、可再生能源、电动汽车等领域的应用。该合作有望加速氮化镓技术的商业化进程，并提升全球供应链的韧性。此次合作标志着第三代半导体产业进入更紧密的国际协作阶段，可能对全球功率电子市场格局产生深远影响。