顶点光电子商城8月10日消息：近日，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存。

            NAD闪存芯片是一种非易失性存储器设备，广泛应用于各种电子设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡（如SD卡、MicroSD卡）以及移动设备（如智能手机、平板电脑）等。它以其高速、高密度、耐用性和低功耗等特点，在数据存储领域占据重要地位。

           NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single level Cell)、MLC （Muti Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。

           321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

          NAND闪存芯片在各种数据存储和传输应用中发挥着重要作用，通过不同的类型和配置，可以满足不同设备和应用的需求。SK海力士将以通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品，巩固品牌在NAND技术领域的领先地位。