近日，存储器大厂铠侠和西部数据共同推出最新的218层3D NAND闪存。

         新闪存利用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC），具有四个平面，并具有创新的横向收缩技术，可将比特密度提高50%以上。它的高速NAND I/O速度超过3.2Gb/s，比上一代提高了60%，加上20%的写性能和读延迟改进，将加速用户的整体性能和可用性。

          值得一提的是，西数、铠侠开发了新的 CBA 技术，也就是将 CMOS 直接键合在阵列之上 ( CMOS directly Bonded to Array ) ，每个 CMOS 晶圆、单元阵列晶圆都使用最适合的技术工艺独立制造，再键合到一起，从而大大提升存储密度、I/O 速度。

         铠侠和西数表示，该产品采用先进的缩放和晶圆键合技术，可以满足广泛市场领域呈指数级增长的数据需求，包括智能手机、物联网设备和数据中心等。

         最新的218层3D NAND闪存已经开始样品出库。