顶点光电子商城2月24日消息：近日，英诺赛科推出了多款高性能氮化镓芯片。

         半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。

         英诺赛科推出的INN100W032A是一颗耐压100V，导通电阻3.2mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流60A，脉冲电流可达230A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP 3.5mmx2.1mm封装，体积小巧，能够极大节省占板面积。INN100W032A在同步整流、Class D功放、高频DC-DC模块电源及电机驱动等应用场景中，能够有效地提高工作频率和效率。

INN100W027A是一颗耐压100V，导通电阻2.7mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流64A. 脉冲电流可达320A，能够适应-40℃到150℃工作环境，零反向恢复电荷。采用WLCSP 4.45mmx2.3mm封装。INN100W027A 是InnoGaN 100V系列导通电阻最小的一颗，非常适合应用在高功率密度的模块电源，也适合在大功率的Class D功放和电机驱动等场合。

         英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片研发与制造的IDM企业，拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件，覆盖30V到700V电压范围，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，已经在快充、通信、LED、人工智能、自动驾驶、数据中心、储能等多个新兴领域中得到应用。