顶点光电子商城2022年3月16日消息，全球NAND闪存生产商在今年的资本支出将达到历史新高的299亿美元，相比去年增幅8%。上一次全球NAND闪存资本支出新高是在2018年，当时为278亿美元。

        2018年全球NAND闪存资本支出增加的原因是，从2017年开始，闪存行业开始转型为3D NAND。自此以后，NAND闪存行业的资本支出，每年都超过了200亿美元。根据已掌握的市场数据，今年，基本上所有的NAND闪存生产商都在积极扩大资本支出。

        从整个半导体行业来看，今年的资本支出预计为1904亿美元，NAND闪存大概占了16%，排在晶圆代工企业的资本支出之后。今年，全球晶圆代工厂的资本支出占行业总支出的41%。

NAND闪存生产商积极扩充产能

        最近正在进行产能升级的NAND闪存工厂包括三星的中国西安工厂（第二阶段投资），铠侠在日本岩手县的Fab 6 (Flash Ventures)和Fab K1，还有三星电子在韩国平泽市的一号产线和二号产线（二号产线还有DRAM生产和代工业务）。SK海力士也正在将M15工厂的剩余产能用于生产NAND闪存。

铠侠日本岩手县的工厂分布

200层以上闪存产品竞争加剧

        预计从今年年底至2023年，全球NAND闪存主要供应商将加紧进入200层以上闪存产品的竞争，这意味着闪存市场将需要更多的晶圆工厂和新生产设备。

        预计在今年晚些时候，三星和美光将会率先批量生产用于制造200层闪存产品的设备。除了三星和美光，还有SK海力士是目前176层NAND闪存产品的主要供应商。三星在中国西安的晶圆厂将会为其最先进的NAND闪存产品代工。目前，三星在西安拥有两座晶圆厂（包括再建的），全面投产后，月产能将能达到12万片。

        SK海力士预计，随着企业级存储应用的需求不断被重视，196层及以上闪存芯片将占据市场的主要需求。