顶点光电子商城消息，据日本媒体报道，东芝、罗姆和日本电装（Nippon Denso）已经开始研究功率半导体的节能技术，目的是到2030年之前，将在电压转换过程中损耗的电能减小一半。

        下一代半导体芯片将会采用以SiC和GaN为代表的材料，来替代硅材料，生产半导体晶圆。用这些材料生产的芯片有更好的节能性能。目前，日本企业正在研发新的技术，将用SiC和GaN材料生产的半导体芯片的成本，控制在硅晶圆成本的水平。

SiC功率模块

        东芝、罗姆和日本电装还在各自的研究领域进行了分工。东芝主要负责研发针对可再生能源和服务器电源的相关技术，罗姆的研发方向主要集中在工业设备应用，日本电装则主要负责电动车领域的相关技术。

        日本政府还专门提供资金，以支持上述企业的研发工作。NEDO（日本新能源产业技术综合开发机构）将在今后十年里，从用于支持碳减排技术研发的2万亿日元基金中，每年拿出大约305亿日元的资金，对东芝、罗姆和日本电装等企业进行补贴。

        东芝计划，到2023财年，将SiC功率器件的产能提高到2020财年的2倍以上，到2025财年，产能继续提高到2020财年的10倍以上。

        日本电装也在大力研发SiC功率半导体，其现有的产品在耐热性方面表现出色。丰田新款氢燃料电动汽车上，就采用了日本电装的SiC功率器件。