根据外媒的报道，三星电子将加快3D DRAM的研究速度，这家半导体巨头在近日，已经开始加强相关的工作环节，例如招聘员工。

       根据之前的报道，三星就已经提出了一种新的增加DRAM性能的方法，传统上的DRAM是将晶体管和电容器在一个平面上进行排列，那么这就是为什么三星电子会在DRAM的前面加上3D。

       3D顾名思义，是一个立体的空间，他并不是局限在一个平面上的空间，而三星电子则是通过晶体管和电容器摆脱平面空间的束缚，除了利用平面空间的面积以外，还要垂直延伸，利用垂直的面积搭建晶体管。

       三星这种方法，被业内称为“堆栈”，而传统的方法，被称为“沟槽”，时至今日仍有许多半导体大厂依然在使用这样的制造方法，例如：日本的东芝、美国的IBM等。

       三星使用这种3D方法，是因为传统意义上的DRAM已经处于一个性能的瓶颈，提高密度已经变成了一件十分困难的事情，三星这种方法便是为了突破这种瓶颈，希望能够再次提高DRAM的性能上限。

       根据业内推断，依照目前的情形来看，3D DRAM将会在2025年面世。