顶点光电子商城2025年4月22日消息：近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。

       首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，额定电压1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效芯片面积下，导通损耗较上一代降低约20%。在相同芯片尺寸下，寄生电容进一步降低，开关速度显著提升。MOSFET体二极管的反向恢复特性得到改善，峰值电流Irrm降低近30%，软度tb/ta大幅优化，电压过冲Vrrm显著改善。

         该平台产品专为新能源汽车主驱设计，可承受高电流密度与高频开关需求，帮助电机驱动器释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。凭借其高效率、低损耗特性，第3代SiC MOSFET平台可广泛应用于光伏逆变器、UPS电源、高压DC/DC变换器等工业场景，推动绿色能源存储与工业电子的发展。

          新产品继承了前两代产品在可靠性方面的优势，通过了传统栅极可靠性试验（如HTGB）等加严测试，确保在长期使用中保持优异的均流特性。清纯半导体已通过IATF16949汽车质量管理体系认证，第3代SiC MOSFET平台产品全面符合国际汽车行业质量管理标准，为车规级应用提供坚实保障。

          清纯半导体第3代SiC MOSFET平台的推出，不仅体现了公司在技术研发上的深厚积累，也为全球新能源与高效能系统的发展提供了关键技术支持。随着碳化硅技术的不断成熟，清纯半导体有望在电动汽车、绿色能源、工业电子等领域发挥更大作用，助力全球能源转型与可持续发展。

         清纯半导体将继续以市场为导向，以客户为中心，通过持续的技术创新与高质量的产品服务，为全球客户提供更优的功率器件解决方案，推动碳化硅技术的广泛应用与产业升级。