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Diodes公司推出先进的锑化铟霍尔器件传感器

         顶点光电子商城2025年4月11日消息:Diodes公司近期推出了基于锑化铟(InSb)材料的新型霍尔效应传感器系列,包括AHE300和AHE10x两个子系列,主要面向旋转速度检测和电流测量应用。这些传感器具有超高灵敏度和低功耗特性,适用于消费电子(如笔记本电脑、手机、游戏手柄)和工业设备(如无刷电机、位置编码器)。


          AHE300支持霍尔输出电压(VH)分类C-G,范围168mV至370mV。AHE10x扩展至分类C-H,最高可达415mV,相比传统GaAs霍尔元件灵敏度提升2.3倍,可检测微弱磁场(<5mT)。低偏移电压(5mV-7mV),确保高精度检测(±0.5%全温区精度)。


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         AHE300工作温度-40°C至+110°C(SIP-4封装)AHE10x更宽-40°C至+125°C(SOT23-4封装),适合工业严苛环境。


         在封装与成本优势方面,其采用标准SOT23-4和SIP-4封装,便于集成。AHE300单价0.18美元(500件起订),AHE10x更具性价比,适合大规模IoT部署。


          在应用场景方面,该传感器应用于消费电子:折叠屏铰链定位(精度30μm)、触控反馈、电机控制。工业设备:无刷电机换向、伺服控制、交流漏电保护(电流分辨率1mA)。汽车电子:Diodes此前已推出车规级霍尔传感器(如AH39xxQ系列),但此次InSb系列更侧重高精度检测。


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          Diodes此举填补了市场对高灵敏度InSb霍尔传感器的需求,尤其在轻薄化消费电子和高可靠性工业应用中具有竞争力。未来,随着智能设备对精密传感需求的增长,此类产品市场前景广阔。