顶点光电子商城2025年4月7日消息：近日，创意电子（GUC）宣布成功投片全球首款HBM4 IP，采用台积电（TSMC）最先进的N3P制程和CoWoS-R先进封装技术，标志着HBM（高带宽存储器）技术进入新阶段。

         HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率，相比HBM3提升2.5倍带宽，同时功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。优化信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保在各类CoWoS技术下稳定运行。整合以色列proteanTecs的互连监测电路，提供HBM联机信号的可观测性，提升可靠性和能效。

          台积电的3nm增强版（N3P）提供更高的晶体管密度和能效，适用于高性能计算（HPC）和AI芯片。CoWoS-R封装采用硅中介层（interposer）技术，优化多芯片集成，适用于HBM4与逻辑芯片的高效连接。

          创意电子成为全球首家完成HBM4控制器与PHY IP投片的公司，巩固其在2.5D/3D IP市场的领先地位。HBM4的高带宽和低功耗特性使其成为AI加速器、数据中心GPU的关键组件。此前有消息称，创意电子可能参与SK海力士的HBM4芯片设计，进一步拓展HBM市场。

          创意电子计划整合HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，提供完整的2.5D/3D解决方案，满足AI、HPC等高性能计算需求。随着HBM4的量产，预计将推动下一代数据中心和AI芯片的性能飞跃。

          此次突破不仅展示了创意电子在先进IP设计上的实力，也凸显了台积电在先进制程和封装技术上的领先优势，为未来HBM4的商用化铺平道路。