顶点光电子商城2025年3月19日消息：近日，SK海力士宣布全球首次向客户交付12层堆叠的HBM4（高带宽内存第四代）DRAM样品，标志着高带宽内存技术迈入新纪元。这一突破不仅体现其在3D封装技术上的领先，更将深刻影响AI、高性能计算（HPC）及数据中心等领域的发展格局。

         12层堆叠使单颗HBM4容量可达24GB（对比前代HBM3的8层16GB），结合HBM4标准支持的512GB/s带宽（较HBM3提升50%），可支撑更复杂的数据密集型任务。通过改进TSV（硅通孔）工艺与散热材料，12层堆叠的功耗效率提升约30%，解决高密度堆叠的散热瓶颈。技术壁垒突破层间对齐误差控制在1微米以内，确保信号传输稳定性。采用新型低介电常数（Low-k）绝缘层，降低层间干扰，提升电信号质量。

         HBM4的高带宽可支持万亿参数模型训练中的数据并行需求，缩短迭代周期。与英伟达H100、AMD MI300等高端GPU结合，释放全部算力潜能。

          HBM4的“近内存计算”特性减少数据搬运延迟，提升整体系统能效比。支持Compute Express Link协议，实现CPU与内存池的解耦，灵活调配资源。

           领先三星、美光等竞品6-12个月，有望抢占AI服务器、自动驾驶等高端市场。与台积电、AMD等合作优化HBM4与芯片设计的协同，形成“芯片-封装-系统”闭环。国内长鑫存储尚在HBM2阶段，技术代际差距或倒逼国产替代加速。

          预计2025年HBM4将占高端DRAM市场15%-20%份额，2026年渗透率或突破30%。SK海力士已启动研发，目标容量达32GB，带宽超600GB/s。探索“内存内计算”架构，进一步模糊存储与运算边界。

          SK海力士的12层HBM4样品不仅是技术里程碑，更是算力需求爆发的“催化剂”。随着生成式AI、元宇宙等场景落地，HBM4将成为连接“数据爆炸”与“能源效率”的关键桥梁，推动半导体产业从“工艺微缩”向“异构集成”时代演进。对中国存储产业而言，这一突破既是挑战，也是加速自主研发的“发令枪”。