顶点光电子商城2025年2月26日消息：近日，美光推出了采用极紫外（EUV）技术的1γ DDR5 DRAM芯片，并开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货。

         1γ节点是DRAM工艺技术的第六代，最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM，他们放弃了纳米测量，转而采用如1x、1y、1z以及现在的1α、1β和1γ等命名方式。

         1γ节点是美光首次采用EUV光刻技术的制程。EUV光刻技术利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，有助于提高晶圆容量密度产出。该内存还包括下一代高K金属栅极CMOS技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高达9200MT/s的速度能力，与前代产品（采用1β技术实现的16Gbit DDR5）相比，速度提高15%，功耗降低20%以上。与上一代相比，1γ节点EUV技术使得晶圆容量密度产出提升30%，这提高了美光的经济效益。

          在应用场景方面，美光的1γ DRAM旨在满足从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展需求。美光计划在其整个DRAM系列中引入1γ，包括用于数据中心的DDR5、用于边缘AI的低功耗DRAM、用于AI PC的DDR5 SODIMM以及用于移动产品和汽车的LPDDR5X。

          美光目前主要在日本的晶圆厂生产1γ DRAM，并计划在日本与台湾晶圆厂增加更多EUV设备以提高产量。客户AMD和英特尔已经开始验证1γ DRAM在其服务器和消费处理器中的使用情况，预计该芯片将受到市场的广泛欢迎。

          总之，美光首家推出的采用EUV技术的1γ DDR5 DRAM芯片在性能、功耗和晶圆容量密度产出等方面均实现了显著提升，并将广泛应用于各种未来计算平台。这一创新成果有望推动AI生态系统的发展并满足行业日益增长的需求。