顶点光电子商城2025年1月6日消息：据报道，三星设备解决方案（DS）部门的内存业务部最近完成了HBM4高频宽内存逻辑芯片的设计。这一设计标志着三星在HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）技术上的又一次重要突破。为了制造这款逻辑芯片，三星选择了自家的4纳米制程技术，这一技术能够提供更小的线宽和更高的晶体管密度，从而实现更高的集成度和更强大的性能。

          HBM4将DRAM Base Die改成了Logic Base Die（逻辑基础裸片），这一改变有助于推动性能和能效的进一步提升。Logic Base Die位于DRAM的底部，主要充当GPU和内存之间的一种控制器。与之前的Base Die不同，Logic Base Die可以让客户自行设计，并加入客户自己的IP，这有利于HBM实现定制化，从而让数据处理更为高效。

        4纳米制程工艺的使用使得芯片能够拥有更快的运算速度、更低的功耗和更高的能效。此外，4纳米芯片还可以提供更好的散热性能和更小的体积，这对于高性能计算和人工智能等领域的应用尤为重要。HBM4有望采用16层堆叠导入无凸块混合键合技术，这能够进一步缩小芯片尺寸并提高性能。混合键合是一种通过铜堆叠芯片的工艺，无需使用传统方式连接芯片的“凸块”，从而提高了芯片的连接密度和可靠性。

         随着人工智能、高性能计算和图形处理等领域的快速发展，对高带宽存储器的需求日益增加。HBM4作为最新一代的高带宽存储器，具有广阔的市场前景。

        三星HBM4可能被用于微软此前发布的AI芯片“Maia 100”以及Meta的Artemis AI芯片中。这对于正急于开拓AI市场、缩小与SK海力士之间差距的三星来说是一个好消息。此外，特斯拉也在寻求获得即将推出的HBM4内存芯片的样品，以加快其“全自动驾驶”神经网络的训练速度。

          三星试图在HBM4上采取更积极的路线，以挽回HBM3E流失的HBM市场占有率。通过采用先进的4纳米制程技术和提供定制化的Logic Base Die，三星旨在满足客户的多样化需求。

          目前，三星和SK海力士是全球主要的HBM供应商。随着HBM4技术的推出，两家公司之间的竞争将更加激烈。SK海力士正在与台积电实施战略捆绑，靠台积电的5纳米工艺推动HBM4的Base die设计制造。而三星则依靠自家的4纳米制程技术取得了领先。然而，最终的竞争结果将取决于产品的性能、功耗、成本以及客户的接受程度。

          综上所述，三星完成HBM4逻辑芯片设计并采用自家4纳米制程技术标志着三星在HBM技术上的又一次重要突破。这一技术突破将有助于三星满足市场对高带宽存储器的需求，并在竞争中保持领先地位。