顶点光电子商城2024年12月27日消息：为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。

        MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用多个分立元件的等效解决方案，有助于最大限度地提高电源的性能和可靠性，同时加快设计速度，节省PCB电路板空间。

         电源整合了MasterGaN1L（内置两个650V 150mΩ GaN FET晶体管）与意法半导体的L6599A谐振控制器，峰值能效高于94%，原边无需安装散热器。电源还集成了意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，整体面积紧凑（80mm×50mm），功率密度高达每立方英寸34瓦（W/inch³）。

         电源的最大输出电流为10A，在24V直流电压时，输出功率为250W，待机电流低于1µA，具有卓越的节能效果。L6599A和SRK2001A内置的保护功能可以防护过流、短路和过压的冲击，而输入电压监测可确保电源正常启动并提供欠压锁定。

         在应用前景方面，该参考设计适用于空间有限、能效至关重要的工业级电源。凭借其出色的性能和紧凑的设计，该参考设计有望在工业电源领域引发一场革命性的变革。

         在市场价值方面，该参考设计的推出，进一步巩固了意法半导体在半导体行业的领先地位。通过提供高效、紧凑的电源解决方案，该参考设计有助于推动工业电源的升级换代，提高整体能效和功率密度，降低生产成本，为工业领域带来更大的经济效益和社会效益。

         总之，意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计在紧凑性、高效性和可靠性方面表现出色，具有广阔的应用前景和市场价值。