顶点光电子2024年12月9日消息：近日，据市场最新消息，三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。

          相比传统的平面（2D）NAND技术，3D NAND技术具有更高的存储性能和更低的能耗，是当前存储技术发展的重要方向。三星电子在400层NAND技术的研发过程中，引入了“三重堆叠”技术，将存储单元堆叠成三层，使得存储单元的堆叠更加紧密，进一步提升了存储性能。

          三星计划采用三层单元（TLC）架构和一种名为“垂直粘合NAND”（BV NAND）的新技术，这种技术将存储单元和外围电路分离到不同的晶圆上，然后以垂直结构将它们粘合在一起。这种方法有助于三星实现更高的制造良率。

          随着全球大数据、人工智能等技术的快速发展，对存储技术的需求也在不断增长。三星电子此次成功研发的400层NAND技术，将有助于提高数据存储的密度和效率，满足日益增长的存储需求。理论上，未来三星固态硬盘的容量可达16TB，连续读写速度接近PCIe 5.0 x4接口的极限。

三星电子计划于2025年下半年开始量产这种先进的NAND闪存，以满足市场对高性能存储解决方案的需求。同时，三星电子还计划在2025年2月举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，提供有关其1Tb容量400层TLC NAND的详细公告。

         在平泽园区，三星电子计划安装新的第9代（286层）生产设施，该设施预计每月产能将达到3万至4万片晶圆。此外，三星电子的西安工厂也将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺，以进一步提升生产效率。

         近年来，NAND闪存市场的竞争愈演愈烈，主要原因是人工智能应用的需求不断增长，同时消费者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不断增长。三星目前占据37%的领先市场份额，但随着美光、长江存储、SK海力士和Kioxia等竞争对手加速开发更高密度的3D NAND，三星保持这一地位正面临越来越大的挑战。堆叠400层或更多层NAND并非易事，因为超过300层的堆叠已经给早期原型产品的可靠性带来了挑战。此外，在量产前，三星电子还需要克服良率提升、成本控制等方面的挑战。