顶点光电子商城2024年11月21日消息：近日，SK海力士宣布了一项重大技术突破，成功实现了全球首款321层1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的量产。这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度，并对数据存储和处理领域产生深远影响。

         321层的设计意味着每个芯片上可以堆叠321个存储层，相比前代产品，这种层叠结构极大提高了存储密度。与上一代238层产品相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。

         采用了创新的“3-Plug”工艺技术，成功克服了堆叠过程中的技术难题。该技术通过三次通孔工艺流程，结合优化的后续工艺，实现了三个通孔之间的电气连接。同时，引入了低变形材料和通孔间自动排列矫正技术，进一步提升了产品的稳定性和可靠性。

         随着数据量的持续增长，市场对高存储容量和更快读写速度的NAND闪存需求日益增加。SK海力士321层NAND闪存的量产将满足这一市场需求，为各大电子设备制造商提供更多选择。

         这种新技术不仅可以提高存储器的性能，还将推动相关技术的进步，进而改变消费电子的使用体验。例如，可以期待更快速的文件加载速度、更高效的应用程序运行，以及在大数据处理和人工智能的训练中发挥重要作用。

          SK海力士的这项技术创新可能会成为未来数据中心、高性能计算和AI应用领域的核心动力，从而重塑存储行业的格局。

          SK海力士计划从明年上半年开始，正式向全球客户提供这款划时代的产品。这一举措不仅展示了SK海力士在存储技术领域的深厚积累和创新能力，还为其在全球存储市场上的竞争力注入了新的活力。

          随着技术的不断演进和市场竞争的加剧，SK海力士将继续致力于技术创新和产品研发，以满足市场不断变化的需求。同时，也将关注数据安全与隐私问题，确保用户在使用过程中获得更为高效、节能和安全的使用体验。