顶点光电子商城2024年10月30日消息：近日，德国半导体巨头英飞凌（Infineon）宣布了一项重大技术突破，成功推出全球最薄的硅功率晶圆。这款晶圆的直径为30mm，厚度仅为20微米（μm），相当于一根头发丝的四分之一，是目前市场上主流40至60μm厚度晶圆的一半。这一创新不仅标志着英飞凌在半导体制造技术方面的领先地位，更为功率半导体的发展开辟了新的纪元。

           英飞凌成为首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司。为了实现这一技术突破，英飞凌的工程师们必须克服诸多技术障碍，包括晶圆翘曲度、晶圆分离以及将芯片固定在晶圆上的金属叠层厚度大于晶圆本身厚度的问题。为此，英飞凌建立了一种创新而独特的晶圆研磨方法，并优化了后端装配工艺，以确保晶圆的稳定性和一流稳健性。

           新型超薄晶圆技术的核心优势在于其能效的显著提升。通过降低晶圆厚度，基板电阻减半，进而使得功率系统中的功率损耗减少了15%以上。这一改进在当前AI与深度学习应用不断增加的时代尤为重要。英飞凌的新技术能够将电压从230V降低到1.8V以下，这对于处理器能效的提升至关重要。此外，基于垂直沟槽MOSFET技术的设计不仅提高了功率传输的效率，还能在减少功率损耗的同时实现与AI芯片的高度紧密连接，从而更好地满足高端市场对能效的需求。

           英飞凌的这款超薄晶圆技术已被整合进其集成智能功率级产品中，并成功交付给首批客户。这一技术的应用范围十分广泛，包括但不限于直流-直流转换器、消费电子、工业设备、电动汽车以及可再生能源系统等领域。在电动汽车充电桩、智能家居设备以及绿色能源项目中，这种超薄晶圆将发挥重要作用。预计在未来三至四年内，现有的传统晶圆技术将逐步被这种超薄晶圆技术所取代，尤其在低压功率转换器领域。

           英飞凌的这项技术创新不仅深刻影响了现代电子设备的设计与使用方式，更对整个行业的竞争格局产生了深远的影响。随着这一技术的推广与普及，各行业都可能迎来一次大的变革。在保障效率、可持续发展的同时，也为消费者带来了更为优质的产品体验。此外，英飞凌技术的成熟也意味着更多企业将能够以低成本、高效率的方式进入市场，刺激整个行业的创新发展。

           总之，英飞凌推出的全球最薄硅功率晶圆不仅是半导体制造技术的一次飞跃，更是智能、绿色科技发展的重要推动力。这一创新将深刻影响未来能源系统的发展，助力全球可持续发展的目标实现。