顶点光电子商城2024年8月14日消息：近日，英飞凌科技股份有限公司推出全新CoolGaN™ Drive产品系列，这个产品系列集成了驱动器与氮化镓功率开关，为电力电子设计带来了更高效、更紧凑且更易于实现的解决方案。

         集成单开关产品将氮化镓功率晶体管（如GaN FET）与相应的驱动电路集成在一个封装内。这种集成设计不仅减少了外部组件的数量，还简化了PCB布局，从而降低了整体系统的复杂性和成本。对于需要高开关频率、低损耗和快速响应的应用场景（如电源转换器、电机驱动、无线充电等），集成单开关提供了显著的性能优势。

         半桥拓扑结构是电力电子领域中常见的电路形式，用于驱动负载（如电机或变压器）的正负两个方向。英飞凌的CoolGaN™ Drive半桥产品将两个氮化镓功率晶体管及其驱动电路集成在一起，形成了一个完整的半桥模块。这种设计不仅提高了功率密度，还优化了热管理，因为两个开关可以共享一个散热器。此外，集成的驱动器确保了开关之间的精确同步，进一步提升了系统的效率和可靠性。

         CoolGaN™ 技术优势有

         高效率：氮化镓材料具有出色的电子迁移率和低电阻率，使得CoolGaN™ 产品能够实现极低的导通电阻和开关损耗。

          紧凑设计：集成化的设计减少了外部组件的数量和PCB面积，有助于实现更紧凑的系统布局。

          易于使用：集成的驱动器简化了电路设计，降低了开发难度，加快了上市时间。

         TDK为多个系列的环形磁芯扼流圈增加管式包装，意味着这些产品将更广泛地应用于需要高效自动化生产的领域，如消费电子、汽车电子、通信设备、工业控制等。这些领域对产品的可靠性、生产效率和成本控制有着极高的要求，TDK的这一举措无疑将助力这些行业实现更高的生产效率和更好的产品质量。

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