顶点光电子商城2023年9月25日消息：近日，英飞凌与深圳英飞源技术合作，其将为Infypower提供业界领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET 功率半导体器件，以提高电动汽车充电站的效率。

           1200V CoolSiC™ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种高压功率半导体器件，采用了碳化硅（SiC）材料制造，用于各种高功率和高频率应用。这些器件具有一系列优点，适用于多种领域，包括电力电子、工业驱动、电动汽车、太阳能逆变器等。以下是一些关于1200V CoolSiC™ MOSFET的特点和优势：

         1. 高电压耐受性： 1200V CoolSiC™ MOSFET可以在高电压条件下稳定工作，适用于需要处理高电压的应用，如电力电子系统。

         2. 低导通电阻： SiC材料具有较高的电子迁移率，因此这些器件通常具有较低的导通电阻，从而减少了能量损耗和热量产生。

         3. 高开关速度： SiC MOSFET具有快速的开关特性，因此适用于高频率开关电源和逆变器设计。

         4. 低开关损耗： 由于其快速开关速度，这些器件通常具有低的开关损耗，有助于提高电源转换效率。

         5. 高温稳定性： SiC材料具有出色的高温性能，使这些器件能够在高温环境下长时间工作。

         6. 高可靠性： CoolSiC™ MOSFET通常经过严格的质量控制和可靠性测试，确保其在各种应用中的可靠性。

         据悉，通过集成英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充电模块提供宽广的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。