顶点光电子商城8月8日消息：铁电场效应晶体管（Ferroelectric Field-Effect Transistor，简称FE-FETs）是一种基于铁电材料的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应和电荷积累，实现了长期稳定的记忆效应。与传统的晶体管相比，FeFET利用铁电材料的特殊性质来实现更多种类的数据存储和处理操作。

           近期，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员就研发了一种新的FE-FET设计，在计算和存储方面都展示了破纪录的性能。

          据悉，这种全新的晶体管在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了一种叫做二硫化钼（MoS2）的二维半导体，首次证明了这两种材料可以有效地结合在一起，制造出对工业制造有吸引力的晶体管。新设计使用了20纳米的AlScN和0.7纳米的MoS2，FE-FET能可靠地存储数据，并实现快速访问。

            FE-FET的结构和工作原理：核心是铁电材料，这些材料可以在电场的作用下产生可逆的极化变化。FeFET通常由金属栅极、绝缘层、铁电薄膜和半导体层组成。在工作时，通过在金属栅极上施加电场，可以控制铁电薄膜的极化状态，从而改变半导体通道的电导性。

           铁电场效应晶体管是新兴的研究领域，其在数据存储和处理方面的潜力引起了广泛的关注。与传统存储技术相比，FeFET可以提供更好的性能和低功耗，这在移动设备、物联网、人工智能等领域具有重要意义。然而，铁电材料的制造和集成仍面临技术挑战，因此该技术仍处于发展阶段。

          总之，铁电场效应晶体管是一种基于铁电材料的场效应晶体管，具有非易失性存储和多态性存储等特点，有望在未来的数据存储和处理技术中发挥重要作用。