顶点光电子商城8月7日消息：近日，瑞森半导体进一步壮大和完善超结（SJ）MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。

           超结功率MOSFET（Superjunction Power MOSFET）是一种现代的功率场效应晶体管（MOSFET），用于高功率应用，如电源、变频器、电机驱动器和其他需要高效率、高性能功率放大的电子设备。超结功率MOSFET的设计旨在提供更低的开通电阻、更高的开通速度和更低的开通损耗。

            瑞森半导体新产品RSF60R070F满足TO-220F/TO-263等封装外形，常规产品封装为TO-247，整体尺寸节约50%，做到大电流小封装。从而大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间，助力小型化产品的应用。优势有：其内置FRD，适应LLC线路，并适合多管应用，具有更快的开关速度，更低的导通损耗；极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率；和优异的EMI性能。

            RSF60R070F实测耐压为600V，导通电阻仅为58mΩ，使得MOS管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、电机控制、逆变器和其它高压开关应用等。

          超小内阻新品RSF60R026W，能做到RDS(ON)典型值20mΩ。优势有：导通电阻减少了33% ，降低功率损耗，进一步提高效率；内置FRD，适应LLC线路，并适合多管应用；100%雪崩测试；低栅极电荷、低导通电阻；优异的EMI性能。

            瑞森半导体（REASUNOS）起步于2007年，是一家专注于功率半导体器件及功率IC的研发、设计、销售的国家级高新技术企业， 致力于为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖碳化硅MOS、碳化硅二级管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，广泛应用于新能源汽车 、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。

            公司专注于高质、高性能的产品研发，核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅（SiC）产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。在集成芯片领域， 国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC，是具备较强竞争力、自主创新的产品。在功率器件领域，就更高耐压、更大电流，模块化等发展方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持续投入研发中。