顶点光电子商城7月28日消息：近日，美光科技宣布，已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品。

           美光HBM3 Gen2内存具有 1.2 TB/s 的聚合带宽和最高容量的 8 高堆栈 24GB的容量（为业界首款），与其他8高HBM3内存相比，容量增加了50%，工艺方面采用了1β (1-beta) 制造工艺制造，每瓦性能提高了2.5倍。

         美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。

          此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。