顶点光电子商城7月27日消息：近日，东芝公司发布了一款正向电压为1.2V的SiC 650V肖特基二极管。

          肖特基二极管是一种特殊类型的二极管，它使用SiC材料制成，具有低正向电压和快速开关特性。碳化硅作为半导体材料具有优异的高温性能和电特性，是一种由金属与半导体接触形成的二极管,，因此肖特基二极管在高功率应用中具有重要的作用。

           新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构。它们实现业界领先的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。

          这种二极管采用了碳化硅（SiC）材料，具有较低的漏电流和较高的开关速度。由于SiC材料的特殊性质，这种肖特基二极管在高温和高电压环境下表现出色，专用于包括开关电源、电动汽车充电站以及光伏逆变器等效率关键型工业设备应用。

            这款新产品的发布有望推动SiC技术的进一步发展和应用。