近日，埃赛力达科技有限公司推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管。

         InGaAs雪崩光电二极管是一种在近红外波段（900-1700nm）下工作的光电探测器，可以用于高速信号探测和光通信应用中。它通常由硅衬底、n型InP层、InGaAsP增量层、InGaAs雪崩区、p型InP层、金属接触组成。

          当InGaAs雪崩光电二极管受到光信号时，光子会被吸收并激发电子进入能带，从而产生电荷载流子。然后在电场的作用下，这些电子会发生雪崩效应，形成二次电子，从而产生更多的电子流。因此，InGaAs雪崩光电二极管可以转换光信号为电信号，并达到增益的效果。

        相比于其他光电探测器，InGaAs雪崩光电二极管具有高灵敏度、高速度和低噪声等优点，因此在高速光通信、光子计算、光纤传感等领域有着广泛的应用。

        埃赛力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计，性能先进，典型的操作增益高达40，在需要1000 nm至1700 nm最佳信噪比的高速应用中代表了新趋势。C30733BQC-01雪崩光电二极管配备了FC/APC连接器，可轻松安装在所有基于光纤的系统中，作为光学时域反射仪（OTDR）和分布式光纤传感器（DOFS）用于分布式温度传感（DTS）、分布式音频传感（DAS）和应变测量。

         它还具有以下特点： 30 μm较小的活动区域、高响应度、低暗电流和噪音、便于光纤耦合的尾纤设计、符合RoHS标准。

          这款新品将高增益和快速恢复时间以及低噪音性能独特地结合在一起，成为高端电信测试设备应用、光通信和分布式光纤传感系统以及对人眼安全的LiDAR/激光测距设备的理想解决方案，尤其适用于智能城市和智能工厂。

         埃赛力达科技有限公司成立于1989年，法定代表人肖冶，是提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者，生产经营各种电子闪光灯及其相关的光电工程产品，光电器件、配套件、分析仪器，分析设备及产品的售后技术服务和新产品的开发。