近日，有消息称，铠侠和西部数据计划在2023年6月举行的VLSI技术和电路研讨会上展示3D NAND技术创新。

          铠侠在即将发表的C2-1论文种介绍了一种8平面的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速。

          这与铠侠/西数推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似，具备17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O总线，但它是8平面而不是4平面，并且据说可提供205MB/s的吞吐量以及40μs的读取延迟。

           除了研究8平面的3D NAND结构外，研究人员还将提交关于300层3D NAND的论文（T7-1），文中表示，为实现这一目标，两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。

           通过MILC技术，在超过300层的垂直存储孔中，形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道，这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高单元阵列性能。

         此前，铠侠和西部数据发布最新3D闪存，218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。

          铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，在2017年4月铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择，为社会创造基于存储器的价值，从而通过存储器促进社会发展。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。