近日，中科院高能物理研究所济南研究部推出自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备。

          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

         该设备基于X射线计算机层析成像技术，并将人工智能（AI）算法引入检测系统，可对不合格产品进行自动识别及分拣。

         另外，近期市场频繁出现IGBT（绝缘栅双极晶体管）供需失衡论调，IGBT 在电动车和光伏两大需求下陷入紧缺。全球IGBT供给侧高端产能稀缺或将为国产厂商带来新一轮成长机遇，目前光伏模块所需的高端、大电流IGBT 仅有少数厂商有供应能力。

         中科院这一重大成果实现了IGBT模块的全自动在线无损检测，数据实时反馈存储，有效解决了双层焊料叠加及散热柱导致X射线2D检测不准确的难点，大大提高检测效率，保障了IGBT模块的产品品质。