顶点光电子商城2月7日消息：近日，宜普公司发布新品氮化镓芯片EPC2218。

        氮化镓是由氮元素和镓元素组成的一种化合物半导体材料。氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于 2.2eV 统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。

         EPC2218尺寸为 3.5 mm x 1.95 mm，是一颗耐压为 100V，导阻 3.2m Ω 的增强型氮化镓开关管。可应用在 DC/DC 转换器、无刷直流电机驱动器、面向 AC/DC 及 DC/DC 应用的同步整流、光学遥感技术、脉冲式功率应用、负载点（POL）转换器、D 类音频放大器、发光二极管照明等领域上。

          另外，EPC2218拥有超快的开关频率、超高的效率和更少的占板面积，可以实现更高功率密度的电源转换。这是源自产品自带的低传导及低开关损、低驱动功率、零反向恢复损耗的特性。

           随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分，0-300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V-600V之间则是GaN材料的优势领域。根据Yole统计，GaN器件可以适用于68%的功率器件市场。

           在应用领域中领域，半导体照明行业发展最为迅速，已形成百亿美元的产业规模。

           在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，市场规模仅为几亿美元。由于GaN材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基GaN功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。

           在节能领域中应用最多就是功率器件，绝大多数电子产品都会使用到一颗或多颗功率器件产品。数据显示，宽禁带半导体芯片可以消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，还可以使笔记本电源适配器体积缩小80%。在开关电源、电动汽车、光伏发电、UPS、数据中心、无线充电，芯片处理器等应用具有非常好的前景。

           在射频微波领域，GaN熔点在1700℃，频率目前可达到25G，功率达到1800w，在航空航天，微波雷达，卫星通信，5G通信有非常大的优势。

          在激光器方面，GaN基激光器可以覆盖到很宽的频谱范围，实现蓝、绿、紫外激光器和紫外探测的制造。

         在探测器方面，GaN基紫外探测器可用于导弹预警、卫星秘密通信、各种环境监测、化学生物探测等领域，但尚未实现产业化。

          宜普电源转换公司（EPC）是基于氮化镓（GaN）功率管理技术的领导供应商，公司不仅仅致力于提高电力效率，更利用氮化镓技术推动了五年前不可能实现的并显著提升生活的全新应用。由于多种应用例如从无线电源传送、全自动汽车以至高速移动通信、低成本卫星及医疗护理应用都不断蜕变，因此氮化镓技术成为勇于革新、持续前进和渴望保持行业领先地位的公司的首选技术。

          氮化镓芯片的发展前景会越来越好，宜普公司的新品EPC2218氮化镓芯片的发布，加快了氮化镓技术的普及，让更多的人享受到氮化镓技术的好处，助力氮化镓市场的繁荣发展。