顶点光电子商城1月28日消息：近日，SK海力士官宣其开发出了LPDDR5T移动DRAM，并已经向目标用户提供相关样品进行试验。

       SK海力士于去年11月推出移动DRAM LPDDR5X后，时隔2个月开发出性能提升的LPDDR5T。

         LPDDR5T的传输速率可达每秒9.6Gbps，相比较于2020推出的LPDDR5X速度提升13%。为强调其超高速度，SK海力士在“LPDDR5”规格名称后添加了“Turbo（涡轮增压）”字样。SK海力士官方表示，LPDDR5T符合JEDEC设定的1.01-1.12V工作电压范畴，这是一种速度极快并且可满足低功耗需求的产品，预计将为智能手机等产品带来进一步的收益。

          LPDDR5T将为客户提供16GB的多芯片封装产品，并且将在2023年下半年将10nm技术的第四代1αnm工艺投入到LPDDR5T的生产中。

         另外，SK海力士计划从今年下半年起量产基10纳米级第4代（1a）精细工艺产品，还将把“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺采用于其新产品。HKMG工艺是在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质防止泄漏电流，改善静电容量的新一代工艺，其特点是既能提高内存速度度，又能降低功耗。

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。