顶点光电子商城2022年11月7日消息：三星电子宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三级单元（TLC）第8代V-NAND。

         第8代V-NAND的1TB三层式存储单元（Triple Level Cell）在一个Cell中存放3bit数据，是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。

       第八代V-NAND采用3D缩放（3D scaling）技术，不仅可以减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过3D缩放技术，三星可显著提升每片晶圆的存储密度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

        近来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。今年美光科技、SK海力士分别宣布研制出232层、238层堆栈闪存。三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。三星此次虽未披露第8代的堆栈层数，不过此前已多次强调拥有制造200层以上闪存的技术力量。

       在未来，三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过 500 层，这被视为 3D 闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。