顶点光电子商城2022年8月19消息：近日，三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后，市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程。

        欲从台积电手上抢下更多高通、超微、英伟达等大厂晶圆代工订单。预计今年第4季每月新增上看2万片产能，并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资。

        三星电子日前公开表示，第2季资本支出集中在韩国平泽P3厂区基础设施以及华城、平泽，与大陆西安厂的工艺升级，对晶圆代工的投资则专注提高5纳米以下先进制程生产能力。

　　 依据三星计划，平泽P3新厂计划5月至7月设备进厂，较原先提早约一个月，将先开出储存型快闪服务器（NAND Flash）产能，后续规划开出3纳米晶圆代工产能。

       据报导，三星今年将发布236层堆叠NAND Flash快闪存储器产品，还计划本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。

        当前，存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK海力士最近完成了238层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品。

        三星，尽管其作为全球最大的NAND Flash厂商，目前市占率高达35%，但研发记录还停留在176层。迫于竞争对手的压力，三星计划凭借生产技术、价格以及性能竞争力，将NAND Flash堆叠层数增加60层。

　　不过，三星236层堆叠NAND Flash推出的具体时间，还有待后续关注。