顶点光电子商城2022年8月17消息：近日，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛机电首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，这标志着晶盛机电第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。

        SiC是近年来兴起的第三代半导体材料，它是一种宽禁带半导体材料，可以做到很高的耐压下芯片还很薄 —— 高耐压、高功率、高效率、小体积。与第一代的Si材料相比，SiC具有很强的材料属性优势：材料属性的提升，意味着用它们制成的半导体器件应用范围更广。与硅基IGBT相比，SiC MOSFET也可以做到6500V耐压，它不仅结构更简单，更重要的还是更高的效率 —— 电机在0-4500rpm区间的效率提升5-8%。从器件角度来看，虽然SiC器件的成本高于硅基IGBT；但从系统的整体角度来看，由于效率提升而减少的电池成本更大。有人估算：使用SiC器件增加300美元成本，可带来2000美元的收益，非常划算！

        近年来，各大SiC厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。国际上，意法半导体瑞典北雪平工厂成功制造出首批8英寸SiC晶圆片；SiC龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂；法国Soitec半导体公司发布首款8英寸SmartSiC晶圆。国内方面，烁科晶体实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步；中科院物理所于2021年10月在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体，后又成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近19.6mm，加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片。

      SiC器件在生产工艺方面要求苛刻，需“高硬度、高脆性、低断裂韧性”，大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

        浙江晶盛机电股份有限公司是一家专业从事晶体材料生长、高端晶体生长设备、自动化装备的研发、制造与销售的高新技术企业。公司拥有四家全资子公司和二家控股子公司，含2家高新技术企业，2家软件企业，3个省级企业技术研发中心。作为一家知名的国内创业板上市公司，晶盛机电的产品（全自动单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、晶体炉控制系统、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉以及晶棒切莫复合加工一体机等）技术均达到了国内领先、国际先进水平，并在高端市场占有率排名第一，多项产品荣获国家科技部等四部委国家重点新产品、浙江省科技一等奖等奖项。产别分别用于光伏硅电池、半导体和集成电路、IGBT功率器件、LED光电子等四大领域，均属国家重点发展的战略性产业。