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长鑫储存17nm DRAM制程成品交付 将可与专业同行直接展开竞争

        顶点光电子商城2022年3月22日消息:长鑫存储对于产品的研发走在行业前列,如迅速开辟17nm DDR5,长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%,长鑫存储将17nm工艺节点作为主流制造技术,如今DDR5内存投产,未来还会有10G5和DDR6的升级。2022年,月产量提高至6万至8万片12英寸晶圆。


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        2020年,长鑫存储发布自己DDR4内存芯片,终于有了自家成熟的内存主控芯片。DRAM领域如今已经实现很多核心技术的突破,许多厂商加快了自家的产能布局。


        长鑫存储今年投产的17nm工艺DDR5内存,当制程成品率提高至成熟水平时,未来不仅升级产品,还将提高现有产品的产能,在专业DRAM领域与同行业展开直接竞争。


        在同行中,南亚科技和华邦电子均有12英寸晶圆厂生产专业DRAM芯片。


        如今,DRAM产业各种因素导致国产半导体芯片市场对DRAM芯片需求量的下降,规模较大的国际厂商推出低密度DRAM市场,华帮电子与南亚科技均建立各自的12英寸晶圆厂。


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        华邦电子为专业的内存集成电路公司,是台湾唯一同时拥有DRAM和Flash自有开发技术的厂商。华邦电子在中科设有一座12寸高度智能化和自动化晶圆厂。该工厂预备2022年批量生产使用其第二代25nm工艺技术制造的芯片——25S


        2022年末,预计晶圆厂月产量将增至1万片12英寸晶圆,一年后再继续投入,进一步扩大晶圆厂产量。


        同时南亚电子计划建立一个新的12英寸晶圆厂,用于公司内部开发的10nm和基于EUV的工艺制造。预计后年开始批量生产,估计每月产能1.5万个晶圆。